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접촉각 감소는 조건 선별을 위한 신호일 뿐입니다; 동일한 접착제, 경화 조건 및 처리 후 대기 시간으로 접착 시험을 수행하여 계면 파괴인지 기재 파괴인지 관찰합니다. 전원 주파수, 가스 경로, 전극 형식 및 시료 가림 상태를 확인합니다. RF와 다른 주파수 전원 간 공정은 출력 숫자만 맞춰 직접 이전할 수 없습니다.

패키징 전처리는 리드 프레임, 칩 표면 및 유기 기판을 각각 검증하며, 본딩 영역의 가림, 민감한 구조의 손상 및 후속 패키징 계면의 파괴 모드에 주의해야 합니다. 전원 주파수, 가스 경로, 전극 형식 및 시료 가림 상태를 확인합니다. RF와 다른 주파수 전원 간 공정은 출력 숫자만 맞춰 직접 이전할 수 없습니다.

임의의 완제품 배치에서 레시피, 원본 온도 기록, 경보 및 작업자를 역추적한 뒤, 장비 기록에서 작업 지시서를 역추적합니다; 양방향 검색을 인수 시연에 포함해야 합니다. 기록이 설정값인지 실측값인지 확인하고, 샘플링 간격, 시계 출처, 단위 및 센서 위치를 명시하여 내보내기 후에도 데이터의 의미가 유지되도록 합니다.

동일한 유량에서 가스 주입 전후의 시료 온도, 챔버 회복 곡선 및 가스 입구 온도를 비교합니다; 예열 효과는 시료 열충격의 개선으로 검증하고, 배관 내열성을 확인해야 합니다. 산소 분석기의 시료 채취 위치, 응답 지연 및 교정 방법을 명확히 합니다. 실제 적재 상태와 문을 연 뒤 회복하는 조건에서 시험해야 합니다. 공급 가스의 순도를 챔버 내 산소 농도로 대신해서는 안 됩니다.

먼저 재료의 합격 종점을 정의한 뒤, 한 번에 한 요인을 바꾸거나 실험계획법을 적용합니다; 온도, 시간 및 분위기의 조합을 기록하고, 경계 조건에서도 종점에 도달하는지 확인합니다. 실험실 시험의 재료 종점과 시료 온도 범위를 유지하면서 대형 챔버의 승온, 배기, 가스 치환 및 냉각 시간을 다시 측정합니다.

시료와 용기, 지그를 포함한 장입 배치도를 그리고, 도어 치수, 사용 가능한 층 높이 및 유지보수 간격을 확인합니다; 전체 사이클 시간으로 교대 근무당 생산량을 추산합니다. 실험실 시험의 재료 종점과 시료 온도 범위를 유지하면서 대형 챔버의 승온, 배기, 가스 치환 및 냉각 시간을 다시 측정합니다.

구체적인 재료의 어닐링 온도, 분위기 및 허용 오염 수준을 기준으로 장비를 선별합니다; 산화층 변화, 응력 완화 및 전기적 결과는 재료 검증이 필요하며, 챔버 진공도만으로 추론할 수 없습니다. 시료, 트레이 및 가열면의 접촉 방식을 확인합니다. 저압에서는 열전달 조건이 달라지므로, 제어기가 설정값에 도달해도 시료 내부는 계속 가열되고 있을 수 있습니다.

장입물 중앙과 가장자리의 전극 시트를 각각 채취하여 잔류 수분을 측정하고, 이송 중 노출 시간을 기록합니다; 바인더, 집전체 및 전해액에 민감한 재료의 온도 한계도 함께 확인합니다. 산소 분석기의 시료 채취 위치, 응답 지연 및 교정 방법을 명확히 합니다. 실제 적재 상태와 문을 연 뒤 회복하는 조건에서 시험해야 합니다. 공급 가스의 순도를 챔버 내 산소 농도로 대신해서는 안 됩니다.