技術情報

接触角の低下は条件選別の指標にすぎません； 同じ接着剤、硬化条件、処理後待ち時間で接着試験を行い、界面破壊か基材破壊かを観察します。 電源周波数、ガス経路、電極形式、試料の遮蔽状態を確認します。 RF と異なる周波数の電源間では、出力値だけを合わせて工程をそのまま移行することはできません。

封止前処理はリードフレーム、チップ表面、有機基板を別々に検証し、ボンディング領域の遮蔽、敏感な構造の損傷、後工程の封止界面の破壊モードを確認します。 電源周波数、ガス経路、電極形式、試料の遮蔽状態を確認します。 RF と異なる周波数の電源間では、出力値だけを合わせて工程をそのまま移行することはできません。

任意の完成品バッチからレシピ、温度原記録、警報、作業者を遡り、次に装置記録から作業指示書を遡ります； 双方向検索は受入実演の一部とする必要があります。 記録が設定値か実測値かを確認し、採取間隔、時刻源、単位、センサー位置を明記して、出力後もデータの意味を保持します。

同じ流量で、ガス導入前後の試料温度、チャンバー回復曲線、ガス入口温度を比較します； 予熱効果は試料の熱衝撃改善で検証し、配管耐熱性も確認します。 酸素分析計の採取位置、応答遅延、校正方法を明確にします。 実際の装填状態と扉を開けた後の回復条件で試験してください。供給ガスの純度を、槽内の酸素濃度の代わりに用いてはいけません。

まず材料の合格終点を定義し、その後で一度に一つの因子を変えるか、実験計画法を用います； 温度、時間、雰囲気の組み合わせを記録し、境界条件でも終点に到達できることを確認します。 小規模試験の材料終点と試料温度範囲を維持し、大型チャンバーの昇温、排気、置換、冷却時間を測定し直します。

試料、容器、治具を含む装入配置図を作成し、ドア開口寸法、使用可能な段高さ、保守間隔を確認します； 全サイクル時間からシフト当たりの生産量を見積もります。 小規模試験の材料終点と試料温度範囲を維持し、大型チャンバーの昇温、排気、置換、冷却時間を測定し直します。

具体的な材料のアニール温度、雰囲気、許容汚染量に基づいて装置を選別します； 酸化膜の変化、応力緩和、電気的結果には材料検証が必要であり、チャンバー真空度だけから推定することはできません。 試料、トレー、加熱面の接触方法を確認します。 低圧では伝熱条件が変わるため、コントローラーが設定値に達していても試料内部はまだ昇温中の場合があります。

装入物中央と端部の電極シートをそれぞれ採取して残留水分を測定し、搬送時の暴露時間を記録します； 併せてバインダー、集電体、電解液に敏感な材料の温度限界を確認します。 酸素分析計の採取位置、応答遅延、校正方法を明確にします。 実際の装填状態と扉を開けた後の回復条件で試験してください。供給ガスの純度を、槽内の酸素濃度の代わりに用いてはいけません。